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半導體光學檢測系列
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提升碳化硅成像檢測系統精度的關鍵技術分析
碳化硅成像檢測的應用領域
飛秒時間分辨太赫茲光譜系統的適用性
瞬態吸收光譜系統的原理介紹
如何優化電激發納秒瞬態吸收光譜系統的易操作性?
碳化硅襯底檢測的重要性與方法
MICRO LED晶圓級綜合檢測系統明場/PL檢測類型:明場缺陷分析、電極缺陷分析、PL缺陷分析。
鈣鈦礦太陽能電池綜合性檢測分析系統檢測時間<10 min(10cm*10cm) 空間分辨率20 μm/100μm。
碳化硅成像檢測,SiC晶圓質量成像檢測系統:晶圓襯底質量(載流子壽命)高速成像,快速篩查外延片晶格質量。
碳化硅襯底檢測,碳化硅成像檢測,碳化硅襯底位錯缺陷光學無損檢測系統:最高檢測速度:<17min/片(6“);BPD、TSD、TED分類識別。
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